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LQH5BPN4R7N38L

muRata

SMD,5x5mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH5BPN4R7N38L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7uH, Nennstrom 3800 mA (Itemp), Gleichstromwiderstand (DCR) 26mΩ, Gehäusegröße SMD,5x5mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7uH
Nennstrom
3800 mA (Itemp)
DC-Widerstand (DCR)
26mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH5BPN4R7N38L.

Induktivität
4.7uH

LQH5BPN4R7N38L hat eine Induktivität von 4.7uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3800 mA (Itemp)

LQH5BPN4R7N38L ist für 3800 mA (Itemp) ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
26mΩ

LQH5BPN4R7N38L hat einen DC-Widerstand von 26mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,5x5mm

LQH5BPN4R7N38L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,5x5mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität4.7uH
Toleranz±30%
Nennstrom3800 mA (Itemp)
DC-Widerstand (DCR)26mΩ
Sättigungsstrom3.5A
Gehäuse / GrößeSMD,5x5mm
Gehäuse / AusführungSMD,5x5mm
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 4.7uH, ±30%, Saturation current: 3.5A, Case: SMD,5x5mm
Typ / AufbauPower Inductor

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