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LQH5BPN680M38L

muRata

2020
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH5BPN680M38L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 68uH, Nennstrom 900mA; 930mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 330mΩ, Gehäusegröße 2020. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
68uH
Nennstrom
900mA; 930mA
DC-Widerstand (DCR)
330mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH5BPN680M38L.

Induktivität
68uH

LQH5BPN680M38L hat eine Induktivität von 68uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
900mA; 930mA

LQH5BPN680M38L ist für 900mA; 930mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
330mΩ

LQH5BPN680M38L hat einen DC-Widerstand von 330mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2020

LQH5BPN680M38L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2020. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität68uH
Toleranz±20%
Nennstrom900mA; 930mA
DC-Widerstand (DCR)330mΩ
Gehäuse / Größe2020
Gehäuse / Ausführung2020
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 68uH, ±20%, Rated current: 900mA; 930mA, Case: 2020
Typ / AufbauChip Inductor

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