Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQH66SN1R0M03L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1uH, Nennstrom 4.7A, Gleichstromwiderstand (DCR) 13mΩ, Gehäusegröße 2525. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQH66SN1R0M03L.
LQH66SN1R0M03L hat eine Induktivität von 1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQH66SN1R0M03L ist für 4.7A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQH66SN1R0M03L hat einen DC-Widerstand von 13mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQH66SN1R0M03L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2525. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 4.7A |
| DC-Widerstand (DCR) | 13mΩ |
| Sättigungsstrom | 4.7A |
| Gehäuse / Größe | 2525 |
| Gehäuse / Ausführung | 2525 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 1uH, ±20%, Rated current: 4.7A, Case: 2525 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |
| Eigenresonanzfrequenz | 150MHz Min |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1MHz |