Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM18FN4R7M00D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7uH, Nennstrom 80mA, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM18FN4R7M00D.
LQM18FN4R7M00D hat eine Induktivität von 4.7uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQM18FN4R7M00D ist für 80mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQM18FN4R7M00D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.7uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 80mA |
| Sättigungsstrom | 80mA |
| Gehäuse / Größe | 0603 |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 4.7uH, ±20%, Rated current: 80mA, Saturation current: 80mA, Case: 0603 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |