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LQM18NN68NM00D

muRata

0603
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM18NN68NM00D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 68nH, Nennstrom 50mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 300mΩ, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
68nH
Nennstrom
50mA
DC-Widerstand (DCR)
300mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM18NN68NM00D.

Induktivität
68nH

LQM18NN68NM00D hat eine Induktivität von 68nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
50mA

LQM18NN68NM00D ist für 50mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
300mΩ

LQM18NN68NM00D hat einen DC-Widerstand von 300mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603

LQM18NN68NM00D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität68nH
Toleranz±20%
Nennstrom50mA
DC-Widerstand (DCR)300mΩ
Gehäuse / Größe0603
Gehäuse / Ausführung0603
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 68nH, ±20%, Rated current: 50mA, Case: 0603
Typ / AufbauChip Inductor

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