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LQM18PN1R0MFRL

muRata

0603
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM18PN1R0MFRL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1uH, Nennstrom 950mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 250mΩ, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1uH
Nennstrom
950mA
DC-Widerstand (DCR)
250mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM18PN1R0MFRL.

Induktivität
1uH

LQM18PN1R0MFRL hat eine Induktivität von 1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
950mA

LQM18PN1R0MFRL ist für 950mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
250mΩ

LQM18PN1R0MFRL hat einen DC-Widerstand von 250mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603

LQM18PN1R0MFRL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität1uH
Toleranz±20%
Nennstrom950mA
DC-Widerstand (DCR)250mΩ
Gehäuse / Größe0603
Gehäuse / Ausführung0603
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 1uH, ±20%, Rated current: 950mA, Case: 0603
Typ / AufbauChip Inductor

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