Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM21FN4R7N00L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7uH, Nennstrom 80mA, Gehäusegröße 0805. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM21FN4R7N00L.
LQM21FN4R7N00L hat eine Induktivität von 4.7uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQM21FN4R7N00L ist für 80mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQM21FN4R7N00L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von LQM21FN4R7N00L weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.7uH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 80mA |
| Sättigungsstrom | 80mA |
| Gehäuse / Größe | 0805 |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 4.7uH, ±30%, Rated current: 80mA, Saturation current: 80mA, Case: 0805 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |