Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM21NN1R8K10D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.8uH, Nennstrom 50mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 570mΩ, Gehäusegröße 0805. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM21NN1R8K10D.
LQM21NN1R8K10D hat eine Induktivität von 1.8uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQM21NN1R8K10D ist für 50mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQM21NN1R8K10D hat einen DC-Widerstand von 570mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQM21NN1R8K10D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.8uH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 50mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 570mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0805 |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 1.8uH, ±10%, Rated current: 50mA, Case: 0805 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |