Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM21NNR56K10D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560nH, Nennstrom 150mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 630mΩ, Gehäusegröße 0805. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM21NNR56K10D.
LQM21NNR56K10D hat eine Induktivität von 560nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQM21NNR56K10D ist für 150mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQM21NNR56K10D hat einen DC-Widerstand von 630mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQM21NNR56K10D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 560nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 150mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 630mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0805 |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 560nH, ±10%, Rated current: 150mA, Case: 0805 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |