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LQM21PN1R0NGRD

muRata

0805
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM21PN1R0NGRD von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1uH, Nennstrom 1.3A, Gleichstromwiderstand (DCR) 82.5mΩ, Gehäusegröße 0805. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1uH
Nennstrom
1.3A
DC-Widerstand (DCR)
82.5mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM21PN1R0NGRD.

Induktivität
1uH

LQM21PN1R0NGRD hat eine Induktivität von 1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.3A

LQM21PN1R0NGRD ist für 1.3A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
82.5mΩ

LQM21PN1R0NGRD hat einen DC-Widerstand von 82.5mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805

LQM21PN1R0NGRD verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität1uH
Toleranz±30%
Nennstrom1.3A
DC-Widerstand (DCR)82.5mΩ
Gehäuse / Größe0805
Gehäuse / Ausführung0805
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 1uH, ±30%, Rated current: 1.3A, Case: 0805
Typ / AufbauChip Inductor

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