Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM21PN2R2MGSD von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2uH, Nennstrom 950mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 225mΩ, Gehäusegröße 0805. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM21PN2R2MGSD.
LQM21PN2R2MGSD hat eine Induktivität von 2.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQM21PN2R2MGSD ist für 950mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQM21PN2R2MGSD hat einen DC-Widerstand von 225mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQM21PN2R2MGSD verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 950mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 225mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0805 |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 2.2uH, ±20%, Rated current: 950mA, Case: 0805 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |