Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM21PNR82MCHD von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820nH, Nennstrom 1.6A, Gleichstromwiderstand (DCR) 163 mOhm Max, Gehäusegröße 0805. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM21PNR82MCHD.
LQM21PNR82MCHD hat eine Induktivität von 820nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQM21PNR82MCHD ist für 1.6A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQM21PNR82MCHD hat einen DC-Widerstand von 163 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQM21PNR82MCHD verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.6A |
| DC-Widerstand (DCR) | 163 mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 900mA |
| Gehäuse / Größe | 0805 |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 820nH, ±20%, Rated current: 1.6A, Saturation current: 900mA, Case: 0805 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |