Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM21PZ1R0NGCD von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1uH, Nennstrom 900mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 100mΩ, Gehäusegröße 0805. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM21PZ1R0NGCD.
LQM21PZ1R0NGCD hat eine Induktivität von 1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQM21PZ1R0NGCD ist für 900mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQM21PZ1R0NGCD hat einen DC-Widerstand von 100mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQM21PZ1R0NGCD verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1uH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 900mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 100mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0805 |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 1uH, ±30%, Rated current: 900mA, Case: 0805 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |