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LQM2HPN1R0MGCL

muRata

1008
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM2HPN1R0MGCL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1uH, Nennstrom 1.5A, Gleichstromwiderstand (DCR) 80mΩ, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1uH
Nennstrom
1.5A
DC-Widerstand (DCR)
80mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM2HPN1R0MGCL.

Induktivität
1uH

LQM2HPN1R0MGCL hat eine Induktivität von 1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.5A

LQM2HPN1R0MGCL ist für 1.5A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
80mΩ

LQM2HPN1R0MGCL hat einen DC-Widerstand von 80mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008

LQM2HPN1R0MGCL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität1uH
Toleranz±20%
Nennstrom1.5A
DC-Widerstand (DCR)80mΩ
Gehäuse / Größe1008
Gehäuse / Ausführung1008
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 1uH, ±20%, Rated current: 1.5A, Case: 1008
Typ / AufbauChip Inductor

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