Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM2HPN3R3MG0L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3uH, Nennstrom 1.2A, Gleichstromwiderstand (DCR) 125mΩ, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM2HPN3R3MG0L.
LQM2HPN3R3MG0L hat eine Induktivität von 3.3uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQM2HPN3R3MG0L ist für 1.2A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQM2HPN3R3MG0L hat einen DC-Widerstand von 125mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQM2HPN3R3MG0L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.2A |
| DC-Widerstand (DCR) | 125mΩ |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 3.3uH, ±20%, Rated current: 1.2A, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |