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LQM2HPNR47MG0L

muRata

1008
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM2HPNR47MG0L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 470nH, Nennstrom 1.3A, Gleichstromwiderstand (DCR) 40mΩ, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
470nH
Nennstrom
1.3A
DC-Widerstand (DCR)
40mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM2HPNR47MG0L.

Induktivität
470nH

LQM2HPNR47MG0L hat eine Induktivität von 470nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.3A

LQM2HPNR47MG0L ist für 1.3A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
40mΩ

LQM2HPNR47MG0L hat einen DC-Widerstand von 40mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008

LQM2HPNR47MG0L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität470nH
Toleranz±20%
Nennstrom1.3A
DC-Widerstand (DCR)40mΩ
Gehäuse / Größe1008
Gehäuse / Ausführung1008
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 470nH, ±20%, Rated current: 1.3A, Case: 1008
Typ / AufbauChip Inductor

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