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LQM2HPNR56ME0L

muRata

1008
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM2HPNR56ME0L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560nH, Nennstrom 1.5A, Gleichstromwiderstand (DCR) 75mΩ, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
560nH
Nennstrom
1.5A
DC-Widerstand (DCR)
75mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM2HPNR56ME0L.

Induktivität
560nH

LQM2HPNR56ME0L hat eine Induktivität von 560nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.5A

LQM2HPNR56ME0L ist für 1.5A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
75mΩ

LQM2HPNR56ME0L hat einen DC-Widerstand von 75mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008

LQM2HPNR56ME0L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität560nH
Toleranz±20%
Nennstrom1.5A
DC-Widerstand (DCR)75mΩ
Gehäuse / Größe1008
Gehäuse / Ausführung1008
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 560nH, ±20%, Rated current: 1.5A, Case: 1008
Typ / AufbauPower Inductor

Vorschau

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