Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM2HPNR56ME0L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560nH, Nennstrom 1.5A, Gleichstromwiderstand (DCR) 75mΩ, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM2HPNR56ME0L.
LQM2HPNR56ME0L hat eine Induktivität von 560nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQM2HPNR56ME0L ist für 1.5A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQM2HPNR56ME0L hat einen DC-Widerstand von 75mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQM2HPNR56ME0L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 560nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.5A |
| DC-Widerstand (DCR) | 75mΩ |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 560nH, ±20%, Rated current: 1.5A, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |
