Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM2MPN4R7NG0L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7uH, Nennstrom 1.1A, Gleichstromwiderstand (DCR) 175mΩ, Gehäusegröße 0806. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM2MPN4R7NG0L.
LQM2MPN4R7NG0L hat eine Induktivität von 4.7uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQM2MPN4R7NG0L ist für 1.1A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQM2MPN4R7NG0L hat einen DC-Widerstand von 175mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQM2MPN4R7NG0L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.7uH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 1.1A |
| DC-Widerstand (DCR) | 175mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0806 |
| Gehäuse / Ausführung | 0806 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 4.7uH, ±30%, Rated current: 1.1A, Case: 0806 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |