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LQM31PN3R3M00L

muRata

1206
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM31PN3R3M00L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3uH, Nennstrom 800mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 300mΩ, Gehäusegröße 1206. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.3uH
Nennstrom
800mA
DC-Widerstand (DCR)
300mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM31PN3R3M00L.

Induktivität
3.3uH

LQM31PN3R3M00L hat eine Induktivität von 3.3uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800mA

LQM31PN3R3M00L ist für 800mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
300mΩ

LQM31PN3R3M00L hat einen DC-Widerstand von 300mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1206

LQM31PN3R3M00L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1206. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität3.3uH
Toleranz±20%
Nennstrom800mA
DC-Widerstand (DCR)300mΩ
Gehäuse / Größe1206
Gehäuse / Ausführung1206
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 3.3uH, ±20%, Rated current: 800mA, Case: 1206
Typ / AufbauChip Inductor

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