LogoMagdir

LQM31PN4R7M00L

muRata

1206
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM31PN4R7M00L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7uH, Nennstrom 700mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 375mΩ, Gehäusegröße 1206. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7uH
Nennstrom
700mA
DC-Widerstand (DCR)
375mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM31PN4R7M00L.

Induktivität
4.7uH

LQM31PN4R7M00L hat eine Induktivität von 4.7uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
700mA

LQM31PN4R7M00L ist für 700mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
375mΩ

LQM31PN4R7M00L hat einen DC-Widerstand von 375mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1206

LQM31PN4R7M00L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1206. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von LQM31PN4R7M00L weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität4.7uH
Toleranz±20%
Nennstrom700mA
DC-Widerstand (DCR)375mΩ
Gehäuse / Größe1206
Gehäuse / Ausführung1206
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 4.7uH, ±20%, Rated current: 700mA, Case: 1206
Typ / AufbauChip Inductor

Vorschau