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LQM32PN1R0MGCL

muRata

1210
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM32PN1R0MGCL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1uH, Nennstrom 1.8A, Gehäusegröße 1210. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1uH
Nennstrom
1.8A

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM32PN1R0MGCL.

Induktivität
1uH

LQM32PN1R0MGCL hat eine Induktivität von 1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.8A

LQM32PN1R0MGCL ist für 1.8A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

Gehäuse / Ausführung
1210

LQM32PN1R0MGCL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität1uH
Toleranz±20%
Nennstrom1.8A
Sättigungsstrom2.2A
Gehäuse / Größe1210
Gehäuse / Ausführung1210
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 1uH, ±20%, Rated current: 1.8A, Saturation current: 2.2A, Case: 1210
Typ / AufbauChip Inductor

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