Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQM32PN1R0MGCL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1uH, Nennstrom 1.8A, Gleichstromwiderstand (DCR) 54 mOhm Max, Gehäusegröße 1210. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQM32PN1R0MGCL.
LQM32PN1R0MGCL hat eine Induktivität von 1uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQM32PN1R0MGCL ist für 1.8A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQM32PN1R0MGCL hat einen DC-Widerstand von 54 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQM32PN1R0MGCL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.8A |
| DC-Widerstand (DCR) | 54 mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 2.2A |
| Gehäuse / Größe | 1210 |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 1uH, ±20%, Rated current: 1.8A, Saturation current: 2.2A, Case: 1210 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |