LQP02HQ0N9BZ2E
muRata
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQP02HQ0N9BZ2E von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.9 nH, Nennstrom 900 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.05 Ohm Max, Gehäusegröße 01005. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQP02HQ0N9BZ2E.
LQP02HQ0N9BZ2E hat eine Induktivität von 0.9 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQP02HQ0N9BZ2E ist für 900 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQP02HQ0N9BZ2E hat einen DC-Widerstand von 0.05 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQP02HQ0N9BZ2E verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 01005. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 0.9 nH |
| Toleranz | ±0.1 nH |
| Nennstrom | 900 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.05 Ohm Max |
| Gehäuse / Größe | 01005 |
| Gehäuse / Ausführung | 01005 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, Case: 01005 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |