Meine Favoriten

LQP02HQ1N2B02L

muRata

01005
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQP02HQ1N2B02L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2nH, Nennstrom 800mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 60mΩ, Gehäusegröße 01005. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.2nH
Nennstrom
800mA
DC-Widerstand (DCR)
60mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQP02HQ1N2B02L.

Induktivität
1.2nH

LQP02HQ1N2B02L hat eine Induktivität von 1.2nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800mA

LQP02HQ1N2B02L ist für 800mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
60mΩ

LQP02HQ1N2B02L hat einen DC-Widerstand von 60mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
01005

LQP02HQ1N2B02L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 01005. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von LQP02HQ1N2B02L weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität1.2nH
Nennstrom800mA
DC-Widerstand (DCR)60mΩ
Gehäuse / Größe01005
Gehäuse / Ausführung01005
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 1.2nH, Rated current: 800mA, Case: 01005
Typ / AufbauChip Inductor
Q bei Frequenz14@500MHz

Vorschau

PDF öffnen