Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQP02HQ4N1B02E von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.1nH, Nennstrom 350mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 350mΩ, Gehäusegröße 01005. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQP02HQ4N1B02E.
LQP02HQ4N1B02E hat eine Induktivität von 4.1nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQP02HQ4N1B02E ist für 350mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQP02HQ4N1B02E hat einen DC-Widerstand von 350mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQP02HQ4N1B02E verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 01005. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.1nH |
| Nennstrom | 350mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 350mΩ |
| Gehäuse / Größe | 01005 |
| Gehäuse / Ausführung | 01005 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 4.1nH, Rated current: 350mA, Case: 01005 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Q bei Frequenz | 14@500MHz |