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LQP02HV12NH02L

muRata

1005
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQP02HV12NH02L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12nH, Nennstrom 220mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 650mΩ, Gehäusegröße 1005. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
12nH
Nennstrom
220mA
DC-Widerstand (DCR)
650mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQP02HV12NH02L.

Induktivität
12nH

LQP02HV12NH02L hat eine Induktivität von 12nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
220mA

LQP02HV12NH02L ist für 220mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
650mΩ

LQP02HV12NH02L hat einen DC-Widerstand von 650mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1005

LQP02HV12NH02L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1005. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität12nH
Toleranz±3%
Nennstrom220mA
DC-Widerstand (DCR)650mΩ
Gehäuse / Größe1005
Gehäuse / Ausführung1005
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 12nH, ±3%, Rated current: 220mA, Case: 1005
Typ / AufbauChip Inductor

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