Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQP02HV1N9B02L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.9nH, Nennstrom 640mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 80mΩ, Gehäusegröße 1005. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQP02HV1N9B02L.
LQP02HV1N9B02L hat eine Induktivität von 1.9nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQP02HV1N9B02L ist für 640mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQP02HV1N9B02L hat einen DC-Widerstand von 80mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQP02HV1N9B02L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1005. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von LQP02HV1N9B02L weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.9nH |
| Nennstrom | 640mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 80mΩ |
| Gehäuse / Größe | 1005 |
| Gehäuse / Ausführung | 1005 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 1.9nH, Rated current: 640mA, Case: 1005 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Q bei Frequenz | 17@500MHz |