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LQP02HV2N9C02L

muRata

1005
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQP02HV2N9C02L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.9nH, Nennstrom 390mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 210mΩ, Gehäusegröße 1005. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.9nH
Nennstrom
390mA
DC-Widerstand (DCR)
210mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQP02HV2N9C02L.

Induktivität
2.9nH

LQP02HV2N9C02L hat eine Induktivität von 2.9nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
390mA

LQP02HV2N9C02L ist für 390mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
210mΩ

LQP02HV2N9C02L hat einen DC-Widerstand von 210mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1005

LQP02HV2N9C02L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1005. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität2.9nH
Nennstrom390mA
DC-Widerstand (DCR)210mΩ
Gehäuse / Größe1005
Gehäuse / Ausführung1005
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 2.9nH, Rated current: 390mA, Case: 1005
Typ / AufbauChip Inductor
Q bei Frequenz16@500MHz

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