Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQP02HV8N2J02L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2nH, Nennstrom 230mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 570mΩ, Gehäusegröße 1005. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQP02HV8N2J02L.
LQP02HV8N2J02L hat eine Induktivität von 8.2nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQP02HV8N2J02L ist für 230mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQP02HV8N2J02L hat einen DC-Widerstand von 570mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQP02HV8N2J02L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1005. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 230mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 570mΩ |
| Gehäuse / Größe | 1005 |
| Gehäuse / Ausführung | 1005 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 8.2nH, ±5%, Rated current: 230mA, Case: 1005 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |