Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQP02TN2N8C02D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.8nH, Nennstrom 200mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.1Ω, Gehäusegröße 01005. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQP02TN2N8C02D.
LQP02TN2N8C02D hat eine Induktivität von 2.8nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQP02TN2N8C02D ist für 200mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQP02TN2N8C02D hat einen DC-Widerstand von 1.1Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQP02TN2N8C02D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 01005. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.8nH |
| Nennstrom | 200mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.1Ω |
| Gehäuse / Größe | 01005 |
| Gehäuse / Ausführung | 01005 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 2.8nH, Rated current: 200mA, Case: 01005 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Q bei Frequenz | 8@500MHz |