Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQP02TN4N1B02D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.1nH, Nennstrom 180mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.3Ω, Gehäusegröße 01005. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQP02TN4N1B02D.
LQP02TN4N1B02D hat eine Induktivität von 4.1nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQP02TN4N1B02D ist für 180mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQP02TN4N1B02D hat einen DC-Widerstand von 1.3Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQP02TN4N1B02D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 01005. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.1nH |
| Nennstrom | 180mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.3Ω |
| Gehäuse / Größe | 01005 |
| Gehäuse / Ausführung | 01005 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 4.1nH, Rated current: 180mA, Case: 01005 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Q bei Frequenz | 8@500MHz |