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LQP03HQ20NJ02D

muRata

0201
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQP03HQ20NJ02D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 20nH, Nennstrom 250mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 800mΩ, Gehäusegröße 0201. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
20nH
Nennstrom
250mA
DC-Widerstand (DCR)
800mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQP03HQ20NJ02D.

Induktivität
20nH

LQP03HQ20NJ02D hat eine Induktivität von 20nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
250mA

LQP03HQ20NJ02D ist für 250mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
800mΩ

LQP03HQ20NJ02D hat einen DC-Widerstand von 800mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0201

LQP03HQ20NJ02D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität20nH
Toleranz±5%
Nennstrom250mA
DC-Widerstand (DCR)800mΩ
Gehäuse / Größe0201
Gehäuse / Ausführung0201
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 20nH, ±5%, Rated current: 250mA, Case: 0201
Typ / AufbauChip Inductor

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