Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQP03HQR11J02D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 110nH, Nennstrom 80mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 8Ω, Gehäusegröße 0201. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQP03HQR11J02D.
LQP03HQR11J02D hat eine Induktivität von 110nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQP03HQR11J02D ist für 80mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQP03HQR11J02D hat einen DC-Widerstand von 8Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQP03HQR11J02D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 110nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 80mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 8Ω |
| Gehäuse / Größe | 0201 |
| Gehäuse / Ausführung | 0201 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 110nH, ±5%, Rated current: 80mA, Case: 0201 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |