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LQP03TN2N0BZ2D

muRata

0201
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQP03TN2N0BZ2D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2nH, Nennstrom 600mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 150mΩ, Gehäusegröße 0201. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2nH
Nennstrom
600mA
DC-Widerstand (DCR)
150mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQP03TN2N0BZ2D.

Induktivität
2nH

LQP03TN2N0BZ2D hat eine Induktivität von 2nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
600mA

LQP03TN2N0BZ2D ist für 600mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
150mΩ

LQP03TN2N0BZ2D hat einen DC-Widerstand von 150mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0201

LQP03TN2N0BZ2D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität2nH
Nennstrom600mA
DC-Widerstand (DCR)150mΩ
Gehäuse / Größe0201
Gehäuse / Ausführung0201
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 2nH, Rated current: 600mA, Case: 0201
Typ / AufbauChip Inductor
Q bei Frequenz14@500MHz

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