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LQP03TN39NJ02D

muRata

0201
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQP03TN39NJ02D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 39nH, Nennstrom 120mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3Ω, Gehäusegröße 0201. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
39nH
Nennstrom
120mA
DC-Widerstand (DCR)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQP03TN39NJ02D.

Induktivität
39nH

LQP03TN39NJ02D hat eine Induktivität von 39nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
120mA

LQP03TN39NJ02D ist für 120mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)

LQP03TN39NJ02D hat einen DC-Widerstand von 3Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0201

LQP03TN39NJ02D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität39nH
Toleranz±5%
Nennstrom120mA
DC-Widerstand (DCR)
Gehäuse / Größe0201
Gehäuse / Ausführung0201
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 39nH, ±5%, Rated current: 120mA, Case: 0201
Typ / AufbauChip Inductor

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