Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQP03TN8N2HZ2D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2nH, Nennstrom 250mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 700mΩ, Gehäusegröße 0201. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQP03TN8N2HZ2D.
LQP03TN8N2HZ2D hat eine Induktivität von 8.2nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQP03TN8N2HZ2D ist für 250mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQP03TN8N2HZ2D hat einen DC-Widerstand von 700mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQP03TN8N2HZ2D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2nH |
| Toleranz | ±3% |
| Nennstrom | 250mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 700mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0201 |
| Gehäuse / Ausführung | 0201 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 8.2nH, ±3%, Rated current: 250mA, Case: 0201 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |