Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQP03TQ1N0B02D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1nH, Nennstrom 800mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 80mΩ, Gehäusegröße 0201. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQP03TQ1N0B02D.
LQP03TQ1N0B02D hat eine Induktivität von 1nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQP03TQ1N0B02D ist für 800mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQP03TQ1N0B02D hat einen DC-Widerstand von 80mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQP03TQ1N0B02D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1nH |
| Nennstrom | 800mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 80mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0201 |
| Gehäuse / Ausführung | 0201 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 1nH, Rated current: 800mA, Case: 0201 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Q bei Frequenz | 17@500MHz |