Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQP18MNR10G02D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100nH, Nennstrom 50mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 6.1Ω, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQP18MNR10G02D.
LQP18MNR10G02D hat eine Induktivität von 100nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQP18MNR10G02D ist für 50mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQP18MNR10G02D hat einen DC-Widerstand von 6.1Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQP18MNR10G02D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 100nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 50mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 6.1Ω |
| Gehäuse / Größe | 0603 |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 100nH, ±2%, Rated current: 50mA, Case: 0603 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |