Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW03AW12NJ00D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12.5nH, Nennstrom 280mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 540mΩ, Gehäusegröße SMD,0.4x0.5mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW03AW12NJ00D.
LQW03AW12NJ00D hat eine Induktivität von 12.5nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW03AW12NJ00D ist für 280mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW03AW12NJ00D hat einen DC-Widerstand von 540mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW03AW12NJ00D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,0.4x0.5mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 12.5nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 280mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 540mΩ |
| Gehäuse / Größe | SMD,0.4x0.5mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,0.4x0.5mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 12.5nH, ±5%, Rated current: 280mA, Case: SMD,0.4x0.5mm |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
