Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW03AW1N0C00D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 30mΩ, Gehäusegröße SMD,0.4x0.5mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW03AW1N0C00D.
LQW03AW1N0C00D hat eine Induktivität von 1nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW03AW1N0C00D hat einen DC-Widerstand von 30mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW03AW1N0C00D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,0.4x0.5mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von LQW03AW1N0C00D weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 1nH |
| DC-Widerstand (DCR) | 30mΩ |
| Gehäuse / Größe | SMD,0.4x0.5mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,0.4x0.5mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 1nH, Case: SMD,0.4x0.5mm |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Q bei Frequenz | 48@900MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 19GHz |