LogoMagdir

LQW03AW2N0C00D

muRata

SMD,0.4x0.5mm
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW03AW2N0C00D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2nH, Nennstrom 490mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 100mΩ, Gehäusegröße SMD,0.4x0.5mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2nH
Nennstrom
490mA
DC-Widerstand (DCR)
100mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW03AW2N0C00D.

Induktivität
2nH

LQW03AW2N0C00D hat eine Induktivität von 2nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
490mA

LQW03AW2N0C00D ist für 490mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
100mΩ

LQW03AW2N0C00D hat einen DC-Widerstand von 100mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,0.4x0.5mm

LQW03AW2N0C00D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,0.4x0.5mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von LQW03AW2N0C00D weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität2nH
Nennstrom490mA
DC-Widerstand (DCR)100mΩ
Gehäuse / GrößeSMD,0.4x0.5mm
Gehäuse / AusführungSMD,0.4x0.5mm
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 2nH, Rated current: 490mA, Case: SMD,0.4x0.5mm
Typ / AufbauChip Inductor
Q bei Frequenz42@900MHz

Vorschau