Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW03AW2N9C00D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.9nH, Nennstrom 540mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 100mΩ, Gehäusegröße SMD,0.4x0.5mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW03AW2N9C00D.
LQW03AW2N9C00D hat eine Induktivität von 2.9nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW03AW2N9C00D ist für 540mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW03AW2N9C00D hat einen DC-Widerstand von 100mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW03AW2N9C00D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,0.4x0.5mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.9nH |
| Nennstrom | 540mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 100mΩ |
| Gehäuse / Größe | SMD,0.4x0.5mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,0.4x0.5mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 2.9nH, Rated current: 540mA, Case: SMD,0.4x0.5mm |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Q bei Frequenz | 41@900MHz |