Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW03AW3N1C00D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.1nH, Gleichstromwiderstand (DCR) 70mΩ, Gehäusegröße SMD,0.4x0.5mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW03AW3N1C00D.
LQW03AW3N1C00D hat eine Induktivität von 3.1nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW03AW3N1C00D hat einen DC-Widerstand von 70mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW03AW3N1C00D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,0.4x0.5mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.1nH |
| DC-Widerstand (DCR) | 70mΩ |
| Gehäuse / Größe | SMD,0.4x0.5mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,0.4x0.5mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 3.1nH, Case: SMD,0.4x0.5mm |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Q bei Frequenz | 48@900MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 12GHz |