Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW04AN1N1D00D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.1nH, Nennstrom 990mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.03Ω Max, Gehäusegröße 03015. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW04AN1N1D00D.
LQW04AN1N1D00D hat eine Induktivität von 1.1nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW04AN1N1D00D ist für 990mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW04AN1N1D00D hat einen DC-Widerstand von 0.03Ω Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW04AN1N1D00D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 03015. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.1nH |
| Toleranz | ±0.5nH |
| Nennstrom | 990mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.03Ω Max |
| Gehäuse / Größe | 03015 |
| Gehäuse / Ausführung | 03015 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, Case: 03015 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Q bei Frequenz | 15 Min @ 250MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 20.0GHz Min |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100MHz |