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LQW15AN33NG0ZD

muRata

0402
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW15AN33NG0ZD von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33nH, Nennstrom 260mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 630mΩ, Gehäusegröße 0402. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
33nH
Nennstrom
260mA
DC-Widerstand (DCR)
630mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW15AN33NG0ZD.

Induktivität
33nH

LQW15AN33NG0ZD hat eine Induktivität von 33nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
260mA

LQW15AN33NG0ZD ist für 260mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
630mΩ

LQW15AN33NG0ZD hat einen DC-Widerstand von 630mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402

LQW15AN33NG0ZD verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität33nH
Toleranz±2%
Nennstrom260mA
DC-Widerstand (DCR)630mΩ
Gehäuse / Größe0402
Gehäuse / Ausführung0402
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 33nH, ±2%, Rated current: 260mA, Case: 0402
Typ / AufbauChip Inductor

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