Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW15AN56NH0ZD von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 56nH, Nennstrom 200 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.17 Ohm Max, Gehäusegröße 0402. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW15AN56NH0ZD.
LQW15AN56NH0ZD hat eine Induktivität von 56nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW15AN56NH0ZD ist für 200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW15AN56NH0ZD hat einen DC-Widerstand von 1.17 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW15AN56NH0ZD verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 56nH |
| Toleranz | ±3% |
| Nennstrom | 200 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.17 Ohm Max |
| Gehäuse / Größe | 0402 |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 56nH, ±3%, Case: 0402 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |