Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW15AN8N1C10D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.1nH, Nennstrom 640mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 79mΩ, Gehäusegröße 0402. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW15AN8N1C10D.
LQW15AN8N1C10D hat eine Induktivität von 8.1nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW15AN8N1C10D ist für 640mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW15AN8N1C10D hat einen DC-Widerstand von 79mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW15AN8N1C10D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von LQW15AN8N1C10D weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.1nH |
| Nennstrom | 640mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 79mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0402 |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Unshielded Inductor, 8.1nH, Rated current: 640mA, Case: 0402 |
| Typ / Aufbau | Unshielded Inductor |