Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW15AN8N2G00D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2nH, Nennstrom 540mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 140mΩ, Gehäusegröße 0402. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW15AN8N2G00D.
LQW15AN8N2G00D hat eine Induktivität von 8.2nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW15AN8N2G00D ist für 540mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW15AN8N2G00D hat einen DC-Widerstand von 140mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW15AN8N2G00D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 540mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 140mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0402 |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 8.2nH, ±2%, Rated current: 540mA, Case: 0402 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |