Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW18AN3N0C8ZD von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3nH, Nennstrom 670mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 170mΩ, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW18AN3N0C8ZD.
LQW18AN3N0C8ZD hat eine Induktivität von 3nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW18AN3N0C8ZD ist für 670mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW18AN3N0C8ZD hat einen DC-Widerstand von 170mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW18AN3N0C8ZD verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3nH |
| Nennstrom | 670mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 170mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0603 |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Unshielded Inductor, 3nH, Rated current: 670mA, Case: 0603 |
| Typ / Aufbau | Unshielded Inductor |