Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW18AN4N9G80D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.9nH, Nennstrom 1200 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.081 Ohm Max, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW18AN4N9G80D.
LQW18AN4N9G80D hat eine Induktivität von 4.9nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW18AN4N9G80D ist für 1200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW18AN4N9G80D hat einen DC-Widerstand von 0.081 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW18AN4N9G80D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.9nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 1200 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.081 Ohm Max |
| Gehäuse / Größe | 0603 |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 4.9nH, ±2%, Case: 0603 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |