Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW18AN52NG8ZD von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 52nH, Nennstrom 750mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 270mΩ, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW18AN52NG8ZD.
LQW18AN52NG8ZD hat eine Induktivität von 52nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW18AN52NG8ZD ist für 750mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW18AN52NG8ZD hat einen DC-Widerstand von 270mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW18AN52NG8ZD verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von LQW18AN52NG8ZD weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 52nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 750mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 270mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0603 |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 52nH, ±2%, Rated current: 750mA, Case: 0603 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |